CVD

chemical vapor deposition
化学的気相成長法。ウェハ上に薄膜を形成する方法の一つ。配線として用いる多結晶シリコン、表面保護膜や絶縁膜として用いる酸化シリコン、窒化シリコン、PSG（Phospho-Silicate Glass：リン化酸化膜ガラス）など、形成したい薄膜の構成元素をもった気体をウェハ上に流し、その表面で化学反応を起こさせて薄膜を形成する。①エネルギー源（熱CVD 法、光CVD 法、プラズマCVD 法）、②成膜圧力（常圧CVD：AP-CVD、減圧CVD：LP-CVD）、③反応方式（有機金属化学気相成長法：MO-CVD）などに分類できる。
→PVD、気相成長
→TAB