HBT

heterojunction bipolar transistor
SiGeとSi、GaAsとAlGaAsなど異種の半導体接合（へテロ接合）を利用したバイポーラ・トランジスタの素子構造の一つ。電流増幅率を落とさずに動作速度を向上することができるため、携帯電話機や無線LANのパワー・アンプなどに用いられる。