GaAs IC

Gallium Arsenide integrated circuit
ガリウムひ素（GaAs）単結晶を基板としたIC。GaAsは、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の代表的な材料で、結晶内の電子の動き（移動度：Mobility）がシリコン（Si）に比べて5 ～ 6 倍も速く、超高速・超高周波デバイスに適している。