FeRAM

ferroelectric random access memory
強誘電体メモリまたは強誘電体不揮発性メモリ。電界を加えなくても電荷が残る（自発分極）性質をもつ強誘電体をメモリセルに利用した不揮発性RAM。電源を切ってもデータ内容を保持できる。EEPROMと比較してデータの書き換え時間は短く、書き換え可能回数も桁違いに多い。
身近なところではICカードなどに使われている。