HEMT

high electron mobility transistor
高電子移動度トランジスタ。化合物半導体をヘテロ接合（2種類の異なった半導体材料の接合）し、その接合面を電子が高速移動する性質を利用した超高速トランジスタ。
GaAs系、InP系、GaN系、SiGe系などがある。
シリコン（Si）を使った半導体よりはるかに動作速度が速く、衛星放送受信機、携帯電話などの高周波増幅素子などに使われる。
また、構造のバリエーションとして「逆HEMT構造」「2重HEMT」「シュードモルフィックHEMT」「メタモルフィックHEMT」などがある。