IGBT

insulated gate bipolar transistor
パワーデバイス分野の代表的素子で、MOS FETとバイポーラトランジスタを組み合わせて1 チップにした素子。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタともいう。MOS FET でバイポーラトランジスタを制御する構造であるため、MOS FET の大電力制御などの両方の特長を兼ね備えており、汎用モータやインバータ制御機器などのスイッチング素子として用いられる。