LOCOS

local oxidization of silicon
シリコンIC内の素子間分離に使われる局所酸化膜技術。窒化膜（Si3N4）でIC 素子を作る領域を覆い、高温酸化処理をすると、窒化膜のない領域に酸化膜が作られる。この酸化膜がLOCOSと呼ばれ、隣接素子間の分離に使用される。素子間の距離を短くでき、高集積化に有効な技術。