MOS

metal-oxide-semiconductor
金属酸化膜半導体のこと。シリコン基板などの半導体表面に、酸化膜を介して金属（ゲート）を設けた、金属－酸化膜－半導体の構造。MOS IC の基本トランジスタ構造である。ソースからドレインに移動するキャリアの量（ソースとドレイン間のチャネル電流）を、絶縁体を介してゲート電圧で制御する。なお、MOS 構造を容量（キャパシタ）として使ったのが、DRAMの記憶キャパシタである。