MRAM

magnetic random access memory
磁気不揮発性メモリ。磁気抵抗効果をもつGMR（Giant Magnetoresistance：巨大磁気抵抗）膜やTMR（Tunneling Magnetoresistance：トンネル型磁気抵抗）膜を記憶素子に用いた不揮発性メモリ。GMR やTMR 膜は、スイッチング磁界によって電気抵抗値が大きく変化する。この現象を利用して、電流の切り替えによって発生する磁界をスイッチすることで“0”“1”の状態を実現する。
→GMR、TMR