SiGe

silicon germanium
シリコン（Si）とゲルマニウム（Ge）の固溶体である混晶半導体。Siより禁制帯幅が狭く、電子移動度が大きい特長をもつ。また、シリコンバイポーラトランジスタと比べてより高速動作が可能である。