SOI

silicon on insulator
シリコン酸化膜（SiO2）などの絶縁膜の上にSi層を形成した構造。そこにICをつくる。サファイアの表面にシリコン単結晶を気相成長させたSOS（Silicon onSapphire）が最初の試み。サファイア基板上の薄膜Si 層をレーザ光などで単結晶化し、ICを作り込む。このほか、酸化膜を介してSi基板同士を貼り合わせる方法や、Si単結晶基板に酸素イオンを打ち込みSiO2層を形成するSIMOX（ Separation by Implanted Oxygen）法などが実用化された。SOIデバイスは低消費電力、高速動作に適している。