TSV

through-silicon via
パッケージ内に、複数のチップを積層し封止するためのシリコン基板を貫通する電極（上下方向の配線構造：ヴィア）のこと。積層した半導体チップを貫通する孔を形成し、そこに銅などの金属を堆積して電極を形成することで、パッケージの基板部分まで短距離接続配線を行う。積層チップ間を最短距離で接続できることで、高機能・高速動作のICシステムの実現が可能となる。