電子ビーム露光

electron beam exposure
電子線露光、EB 露光ともいう。IC 製造工程でウェハ上に塗布したレジスト（感光性樹脂）にパターンを描画する露光法の一つ。マスク作成にも利用されている。電子ビームの走査方式（描画方式）には、ラスタ走査方式とベクタ走査方式がある。ベクタ走査方式には電子ビームの形状を矩形や三角形にして、スループットを高めた可変成型電子ビーム露光装置がある（マスク描画用）。また、ウェハ上に直接、電子ビームでパターンを露光する電子ビーム直接描画（ML2：Mask-Less Lithography）装置には、シングルコラム（鏡筒）のブロック露光方式とマルチビーム方式がある。マルチビーム方式にはマルチビーム可変矩形方式や電子源をマトリクス状に配置した面状電子源方式、大面角に配置した並列ビームを同時に走査するCLA（Correction Lens Array）方式などがある。さらに、マスクを使う電子ビーム直接露光装置には低加速電子ビームを使う等倍露光方式（ PEL：Proximity EB Lithography）と、縮小マスクを使うEPL（EB Projection Lithography）とがある。