裏面研磨

back grind
IC の前工程が完了したウェハの裏面を研磨して厚さ数十μ m ～ 200 μ m 程度に薄くすること。目的は、① ICカードや積層チップのためパッケージ厚を薄くする、②基板電位を確保する、ためである。