量子効果デバイス

quantum effect device
半導体デバイスを微細化してデバイス構造を電子の波長（数10nm 程度）と同程度以下にすると、電子の波動性としての性質に起因する現象が起きる。これを利用したデバイス。
広義には量子閉じ込め効果などを用いたレーザーや電子のバンド間遷移を用いた受光素子、トンネル効果を用いたジョセフソンデバイスやTMR（トンネル磁気抵抗効果）などのデバイスも含まれる。